Factor de forma M.2 2280
Interfaz NVMe PCIe 4.0 x4
Capacidades 512GB,
Controlador Phison E18
3D TLC NAND
Caché DRAM Sí
Velocidad secuencial Lectura/Escritura 512GB – 7,000/3,900MB/seg
Tasa aleatoria sostenida de lectura/escritura de 4k1 512GB – hasta 450,000/900,000 IOPS
1024GB – hasta 900,000/1,000,000 IOPS
Total de Bytes escritos (TBW)3 512GB – 400TBW
Consumo de energía 512GB – 50mW en reposo/ 0.34W Avg / 2.7W (MÁX) Lectura / 4.1W (MÁX) Escritura
Temperatura de almacenamiento 40 a 85 °C
Temperaturas de operación 0 a 70 °C
Dimensiones 80mm x 22mm x 2.21mm (512GB-1024GB)
80 x 22 x 3.5mm (2048GB-4096GB)
Peso 512GB
Resistencia a las vibraciones en operación 2.17 G pico (7 a 800 Hz)
Resistencia a las vibraciones fuera de operación 20G pico (10 a 2.000Hz)
MTBF 2,000,000 horas